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先進(jìn)半導(dǎo)體材料

開(kāi)展高純度氧化鎵晶體生長(zhǎng)技術(shù)攻關(guān)及 相關(guān)半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和制造工藝研發(fā),加速?gòu)膶?shí)驗(yàn)室研究到產(chǎn) 業(yè)化的進(jìn)程。重點(diǎn)發(fā)展氧化鎵晶體、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體晶圓 襯底商業(yè)化生產(chǎn),加速氧化鎵、銻化鎵、銻化銦等超禁帶材料的 技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí)。探索氧化鎵材料在新能源汽車、智能電網(wǎng)、 高速通信等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。